氬離子拋光儀/CP離子研磨截面拋光儀 發布時間：2014-07-16 14:54:17
1. 設備型號：
上圖設備型號：Fischione 1051
左圖設備型號: Gatan 685 ； 右圖設備型號：Fischione 1061
金鑒實驗室氬離子拋光CP研磨制樣視頻
技術指標與配置：
（1）功能：具備平面大面積離子拋光、橫截面離子拋光及高精度離子束鍍膜，全面解決高端場 發射電鏡所有制樣需求；
（2）離子槍角度：0°到 + 18°，每只離子槍可獨立調節；
（3）離子槍束能量：0.1keV~8keV , 可在不同電壓下自動優化離子束束流；
（4）最大有效拋光區域面積：平面拋光區域直徑約1~1.5mm，橫截面約1~2mm（寬）×500μm（深）；
（5）最大樣品尺寸：直徑32mm×高15mm（平面拋光）；長寬10mm×10mm （截面拋光）；
（6）冷臺部分：帶有液氮冷臺，以及精確控溫系統，一次加注液氮續航能力6-8小時；
（7）耙材裝置：同時安裝兩種靶材，鉻靶、碳靶。
優勢：
具備樣品切割和拋光兩項功能；
配溫控液氮冷卻臺，去除熱效應對樣品的損傷，有助于避免拋光過程中產生的熱量而導致的樣品融化或者結構變化；
配碳/鉻鍍膜，對于同一個樣品，可在同一真空環境下完成拋光及鍍膜，防止樣品氧化，可以用于SEM/FIB導電鍍膜樣品制作。
2. 原理
氬離子切割制樣是利用氬離子束（?1mm）來切割樣品，以獲得相比FIB制樣（通常十幾微米）面積更大的電子顯微分析區域。其制樣原理是用一個堅固的擋板遮擋住樣品的非目標區域，有效的遮蔽了下半部分的離子束，創造出一個側切割平面，去除樣品表面的一層薄膜。
氬離子拋光技術又稱CP截面拋光技術，是對樣品表面進行拋光，去除損傷層，從而得到高質量樣品，用于在SEM，光鏡或者掃描探針顯微鏡上進行成像、EDS、EBSD、CL、EBIC 或其它分析。
針對不同的樣品的硬度，設置不同的電壓、電流、離子槍的角度、離子束窗口，控制氬離子作用的深度、強度、角度、這樣較精準的參數，有利于制備成研究者理想的材料樣品，這樣的樣品不僅表面光滑無損傷，而且還原材料內部的真實結構。
3. 性能
樣品粘貼在樣品載臺上的一個獨特的llion+樣品擋板上，便于使樣品準確的定位。系統筒化操作，使樣品可以重復插入樣品臺。
4. 氬離子拋光與切割/CP截面拋光的優點
機械拋光的缺點
相比較下氬離子拋光/CP截面拋光的優點：
（1）對由硬材料和軟材料組成的復合材料樣品, 能夠很精細地制作軟硬接合部的截面, 而使用傳統方法制樣是很困難的。
（2）比FIB方法的拋光面積更大（~1mm以上）。
5. 寄樣要求
1. 送樣前需要對樣品進行預處理：樣品預磨拋，樣品要磨平，樣品的上下表面要平行，樣品拋光面至少用4000目砂紙磨平，在顯微鏡下看起來光滑，不粗糙。
2. 金鑒樣品的尺寸要求：
2.1塊狀樣品：以待拋光區域為中心點，樣品直徑不超過30mm、厚度0~20mm。（超出部分需要磨走）
2.2粉末樣品：10g以上。
注：具體的樣品要求可咨詢在線業務！
6. 金鑒拋光樣品臺簡介
6.1平面拋光樣品臺
平面拋光的樣品尺寸要求:
塊狀樣品：以待拋光區域為中心點，樣品直徑不超過30mm、厚度0~20mm。（超出部分需要磨走）
6.2 截面拋光樣品臺
截面拋光樣品尺寸要求：
不超過擋板大小即可，但拋光區域大概只有檔板中線區域的1mm
7.金鑒設備參數
8. 案例分析
（1）金屬結合面
（2）鋰電池石墨電極截面觀察
（3）鋰電池石墨顆粒平面拋
（4）線路板截面拋光
（5）芯片N極截面拋光
（6）支架鍍層二焊點截面拋光
（7）支架鍍層結構截面拋
（8）頁巖拋光
（9）樣品拋光后顯示出高度孿晶的晶粒
（10） 拋光后的鋯合金的菊池花樣
（11）EBSD歐拉角分布圖
（12）IPFZ 面分布
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