紅外顯微鏡觀察 發布時間：2023-08-17 14:33:43
介紹：短波紅外（SWIR，short-wave infrared）一般是指光譜范圍在1~3μm的紅外光線，在這一波段的紅外線成像方式與中波和長波的紅外成像方式不同。中長波紅外的成像模式以熱輻射成像形式，而短波紅外成像則是以反射成像為主，這一特點與可見光成像相同。金鑒擁有搭配InGaAs傳感器的短波紅外顯微鏡，采集波長約0.9~1.7μm?？捎糜诓牧嫌^察和缺陷檢測，確保測試結果的準確性和可靠性。
案例一：封裝材料內部觀察
一般像石英、玻璃、環氧樹脂、硅樹脂等材料，即使添加了色素劑，在短波紅外光下是依然透明的，利用紅外顯微鏡可以實現在無損條件下對內部的觀察。如下案例，黑色環氧膠封裝的紅外發射管，在OM（光學顯微鏡）下觀察不清楚內部，而在紅外顯微鏡下可以清晰觀察內部形貌。金鑒的設備確保了樣品的完整性，還大大提高了檢測效率，幫助企業在生產過程中及時發現潛在問題，優化生產工藝。
案例二：芯片內部缺陷觀察
利用紅外顯微鏡對藍寶石、硅材質襯底的透過性可以實現對芯片內部形貌的觀察，如膜層的變形、缺損等。在加壓條件下，還可以實現對芯片的EMMI定位，便于后續FIB切割觀察。金鑒實驗室能夠深入分析芯片內部的結構和性能，為芯片研發、生產和質量控制提供全方位的支持。無論是芯片制造商還是電子設備生產商，都可以依靠金鑒實驗室的專業檢測服務，確保產品的可靠性和穩定性。
案例三：太陽能電板上的裂縫和缺陷
無論是檢測硅晶圓或者太陽能電池板上的裂縫和缺陷，還是實現集成電路故障分析，這種缺陷檢測都將有助于提升產品質量以及整體生產效率。由硅制作而成的半導體晶圓和芯片在短波紅外光下是透明的。采用短波紅外顯微鏡可以實現對微裂紋以及雜質的檢測。金鑒實驗室能夠清晰呈現裂縫的寬度，為太陽能電板的質量評估和改進提供了重要的數據支持。下圖為硅半導體的邊緣裂縫成像。
金鑒實驗室憑借其先進的短波紅外顯微鏡技術，在封裝材料、芯片和太陽能電板等領域的檢測中展現出卓越的專業能力。無論是材料內部觀察、芯片缺陷定位還是太陽能電板裂縫檢測，金鑒實驗室都能夠提供精準、高效的檢測服務，為相關行業的發展提供有力的技術支持。
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